傳統(tǒng)蒸發(fā)技術(shù)的缺陷:

在傳統(tǒng)的蒸發(fā)技術(shù)中, 凝聚粒子的能力低, 熱蒸發(fā)薄膜的堆積密度較低, 具有明顯的柱狀結(jié)構(gòu), 造成膜本身不穩(wěn)定, 光機(jī)性能蛻變、降低.

離子輔助沉積技術(shù), 能夠改善薄膜的性能, 高的堆積密度, 改善了膜的光機(jī)性能.

通常的離子束源出口半徑小, 離子束流有方向性且大小有限,使得達(dá)到被轟擊表面的離子束流均勻性差, 轟擊角不一致, 導(dǎo)致薄膜的均勻性差, 可利用的沉積面積有限, 甚至在有些情形, 沉積的薄膜層僅在沉積過程中受到不連續(xù)的輻照, 并非完全的離子輔助沉積薄膜.

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高性能紅外增透膜優(yōu)勢:

伯東美國 KRI 離子源克服了通常的離子束輔助鍍膜技術(shù)的缺陷, 成為一種實(shí)用的離子輔助鍍膜手段, 已經(jīng)廣泛運(yùn)用于大型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)上.

為了獲得大面積均勻、性能優(yōu)異的紅外光學(xué)薄膜, 增強(qiáng)其耐久性, 使膜層的機(jī)械性的紅外增透膜, 某國內(nèi)光學(xué)薄膜制造商采用伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 用于輔助鍍膜. 

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射. 適用于已知的所有離子源應(yīng)用.

2. 離子束流: >650 mA; 離子動(dòng)能: 100-1200 V; 中和器: 燈絲, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.

3. 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出高質(zhì)量, 穩(wěn)定的電子流.

4. 離子源采用模塊化設(shè)計(jì), 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.

5. 無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計(jì).

為了獲得更好的膜層, 離子源輔助鍍膜需要在真空環(huán)境下進(jìn)行, 因此鍍膜腔體需要將真空度抽至8x10-4 Pa, 該光學(xué)薄膜制造商采用普發(fā) Pfeiffer Hipace 80 對(duì)鍍膜腔體進(jìn)行抽真空.

渦輪分子泵  HiPace 80 技術(shù)參數(shù)

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高性能紅外增透膜實(shí)際運(yùn)用結(jié)果:

用伯東美國 KRI 離子源輔助沉積的紅外增透膜, 其光學(xué)性能和機(jī)械性能均較優(yōu)異, 增強(qiáng)其耐久性, 完全滿足一般紅外光學(xué)系統(tǒng)的要求, 且可以制備大面積均勻的膜層, 達(dá)到共贏生產(chǎn)規(guī)模.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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